PHE MM
PHE MC
Встраиваемые модули для серии E и R 1260
Эти встраиваемые модули специально разработаны для установки в интегрированные усилители серий E и R 1260. Они компактные, содержат сложные схемные компоненты и имеют конструкцию с разделением каналов. Металлический корпус обеспечивает дополнительное экранирование и отличные измеренные значения.
Входная чувствительность модуля MM может быть установлена на любой из пяти уровней с помощью DIP-переключателей. Доступны шестнадцать значений входной емкости.
Входная чувствительность модуля MC может быть установлена на любой из девяти уровней. Также доступны девять значений входного импеданса.
MM
Входная чувствительность от 1,0 до 10,0 мВ
Входная емкость от <120 до 500 пФ
MC
Входная чувствительность от 100 до> 2000 мкВ
Входное сопротивление от <15 до 650 Ом
Технические характеристики
Не так давно немецкий производитель T+A анонсировал обновленную версию своего флагманского предусилителя из линейки High Voltage – P 3100 HV
Его протестировали специалисты английского издания Hi-Fi News и по итогу присвоили статус «Выдающийся продукт». Приведем некоторые мысли автора статьи: «Хоть P 3100 HV является эволюцией 3000-го, „генетика“ полностью дискретного дизайна осталась неизменной. Ключ к этому — топология предусилителя высокого напряжения, или High Voltage, где специально отобранные JFET-транзисторы работают на необычно высоких, до 100 В, напряжениях. Это позволило T+A управлять полевыми транзисторами в классе A в ограниченном, но наиболее линейном участке их функционирования. В результате — практически отсутствие роста искажений и отсутствие чего-либо, кроме абсолютного минимума корректирующих схем обратной связи на выходе. Также благодаря этому удается получить еще несколько важных достижений: рост гармоник только 2-го порядка, а также снижение THD (КНИ) до значений 0,00005 % на критически важной средней полосе частот. Такие значения КНИ можно назвать „исчезающими низкими“. Убрана схема смещения сервопривода постоянного тока, что снижает вероятность дрейфа тока за счет точного теплового соединения полевых транзисторов в сочетании с кропотливой настройкой всех элементов цепи».
Прочитать статью целиком (англ.)
02.11.2020